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單晶基板是一種具有高晶體品質(zhì)的材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、集成電路、高頻大功率電子器件等領(lǐng)域。它們具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，展現(xiàn)出均勻性、各向異性等特征，是良好的半導(dǎo)體材料。

單晶基板的拋光是半導(dǎo)體制造過程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，主要目的包括：

1.實(shí)現(xiàn)超光滑表面

2.去除表面損傷和雜質(zhì)，改善表面質(zhì)量

3.實(shí)現(xiàn)晶格匹配，促進(jìn)電子流動(dòng)

4.提高熱導(dǎo)率，改善光學(xué)性能

5.滿足特定應(yīng)用需求

氬離子拋光單晶基板

利用ArNanoFab 100氬離子拋光機(jī)拋光單晶基板是一種先進(jìn)的表面處理技術(shù)，具有顯著的優(yōu)點(diǎn)：

1.非接觸式加工，避免了機(jī)械拋光可能引入的表面損傷和應(yīng)力

2.有效去除單晶基板表面的損傷層和雜質(zhì)，獲得高質(zhì)量、高光滑度的表面，從而提高器件的性能和可靠性

3.離子平面拋光和離子切割一體化技術(shù)，一套系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)兩種模式，無需復(fù)雜的切換流程，簡(jiǎn)潔方便

4.動(dòng)態(tài)離子切割技術(shù)，實(shí)現(xiàn)樣品的往復(fù)平移和旋轉(zhuǎn)，最大切割長(zhǎng)度達(dá)10mm ,有效減少投影/遮擋效應(yīng)

5.超大的平面拋光裝載尺寸50mm×25mm(直徑×高)

6.能量0.5-10kv連續(xù)可調(diào)，既可滿足低能區(qū)減少非晶層，又可兼顧高能區(qū)大幅提高制樣效率

7.相較于其它拋光方法，能夠減少對(duì)單晶基板亞表面造成的損傷，保持材料的完整性和性能

單晶基板測(cè)試報(bào)告

設(shè)備：ArNanoFAB 100氬離子拋光機(jī)

日期：2024年7月

未拋光

拋光20min

拋光40min

離子拋光后

離子拋光后觀察

芯片銅基板中間的膏體孔隙尺寸與孔隙分布

氬離子拋光技術(shù)為單晶基板的表面處理提供了一種高效、環(huán)保、精準(zhǔn)的解決方案，有助于提升最終產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。

同時(shí)，氬離子拋光機(jī)在新材料領(lǐng)域的應(yīng)用不僅提高了樣品制備的質(zhì)量，促進(jìn)了新材料的研究和開發(fā)，還具有環(huán)境友好和高精度加工等特點(diǎn)。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，氬離子拋光機(jī)的應(yīng)用范圍將進(jìn)一步拓展，為新材料領(lǐng)域帶來更多的可能性。